UM：7K字；
DM：1K字。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)歐姆龍C200HE-CPU32-ZE手冊(cè)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作C200HE-CPU32-ZE
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。機(jī)架安裝。
適用于C200H,C200HS,C200HE,C200HG,C200HX。
APF/PCF接口。
上位機(jī)鏈接單元適合連接計(jì)算機(jī)。
在上位機(jī)鏈接單尤上，可以執(zhí)行:
監(jiān)視或改變PC的運(yùn)行條件。
讀寫IR區(qū)域。
提取或裝入程序二
一個(gè)CPU或擴(kuò)展I/O單元上可以連接2個(gè)上位機(jī)鏈按單元，
可使用R5-232C, RS-422和塑料護(hù)套光纖電纜歐姆龍C200HE-CPU32-ZE手冊(cè)。
APF/PCF接口。
上位機(jī)鏈接單元可以結(jié)合其他C系列單元一起（multi-drop）使用。
上位機(jī)鏈接單元可以連接可編程終端。
運(yùn)用C200HX/HG/HE的傳輸指令(TXD)通過(guò)PC啟動(dòng)來(lái)傳輸數(shù)據(jù)。
多級(jí)上位機(jī)鏈接系統(tǒng)。
使用C200H-LK101-PV1(光纜)，連接二臺(tái)個(gè)人計(jì)算機(jī)進(jìn)行系統(tǒng)監(jiān)控和數(shù)據(jù)裝載。輸入點(diǎn)數(shù)：16點(diǎn)。
輸入電壓和電流：200到240VAC。
將單元安裝到CPU裝置時(shí)，最多可控制960點(diǎn)。
CS1提高高級(jí)空間效率。只需將10個(gè)基本I/O單元(各96個(gè)I/O點(diǎn))安裝到CPU裝置達(dá)80個(gè)模擬量I/O點(diǎn)歐姆龍C200HE-CPU32-ZE手冊(cè)。
提高了數(shù)據(jù)鏈接、遠(yuǎn)程I/O通信和協(xié)議宏的刷新性能。
以前，僅在執(zhí)行指令后的I/O刷新期間，CPU總線單元才會(huì)發(fā)生I/O刷新。
但是，借助新CS1，通過(guò)使用DLNK指令，可立即刷新I/O。
立即刷新特定于CPU總線單元的過(guò)程意味著可提高CPU總線單元的刷新響應(yīng)性，
如執(zhí)行指令時(shí)用于數(shù)據(jù)鏈接和DeviceNet遠(yuǎn)程I/O通信和分配的CIO區(qū)/DM區(qū)字的過(guò)程?；芈窋?shù)：2回路。
溫度傳感器輸入：鉑電阻輸入（JPt100、 Pt100）。
控制輸出：ON/OFF電流輸出（線性）。
溫度控制單元一個(gè)單元可連接2臺(tái)溫度傳感器。
溫控控制單元用所連接的溫度傳感男廁（熱電偶或鉑電阻）測(cè)量物體溫度并按預(yù)置的控制模式控制其溫度。
溫度傳感器可以是熱電偶或鉑電阻。
用內(nèi)部開關(guān)可以選擇10種熱電偶和2種鉑熱電阻。
控制輸出可以選為晶體管輸出，電壓輸出或電流輸出。
在采樣周期為500ms，指示精度為正負(fù)0.5%情況下，
可實(shí)現(xiàn)高速高精度溫度控制。
8個(gè)數(shù)據(jù)如主設(shè)定值，報(bào)警設(shè)定值，
輸入偏偏移范圍等，可預(yù)置在一個(gè)數(shù)據(jù)組內(nèi)C200HE-CPU32-ZE操作手冊(cè)。
最多可存放8組，每組可供不不同的用途C200HE-CPU32-ZE操作手冊(cè)。
在運(yùn)行過(guò)程中數(shù)據(jù)可以變換。
報(bào)警輸出可選擇十種以上模式，如上限、下限、上下限等。
加熱器電流由高精度電流互感器監(jiān)視，監(jiān)視精度達(dá)0.1A。
使用加熱器燒斷檢測(cè)，可以快速檢測(cè)出加熱器的燒斷故障。