安裝DIN導(dǎo)軌用的適配器。
用于Q32SB、Q33SB、Q35SB、Q33B、Q52B、Q55B、Q63B。輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出元件數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：28 k步。
處理速度：34ns。
程序存儲器容量：144 KB。
內(nèi)置RS232通信口。
支持安裝記憶卡。
僅用于A模式Q00UCPU
提升基本性能。
CPU的內(nèi)置軟元件存儲器容量增加到最多60K字。
對增大的控制、質(zhì)量管理數(shù)據(jù)也可高速處理。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。分辨率262144PLS/res。
允許轉(zhuǎn)速3600r/min。
軸的允許載荷：徑向最大為19.6N，軸向最大為9.8N。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。測量項(xiàng)目：漏電流（Io）、阻性漏電流（Ior）。
測量電路數(shù)：2個電路。
測量泄漏電流的絕緣監(jiān)視模塊。
可對漏電流進(jìn)行測量，以確保安全通過監(jiān)視漏電流（Io），可檢測出觸電危險。
可連續(xù)不間斷地監(jiān)視設(shè)備的絕緣狀態(tài) 測量阻性漏電流（Ior），
以便不間斷地監(jiān)視設(shè)備的絕緣老化狀況。
可對每個測量項(xiàng)目進(jìn)行2階段的報(bào)警監(jiān)視可分別對漏電流（ Io）、阻性漏電流（Ioor）進(jìn)行2階段的報(bào)警監(jiān)視，
無需梯形圖程序。報(bào)警監(jiān)視分為注意報(bào)警和危險報(bào)警2階段。
一個模塊可測量量兩個電路 一個模塊可對同一系統(tǒng)中相同相線式電源的兩個電路進(jìn)行測量。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版或更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。
［測量項(xiàng)目］漏電流（ Io）、阻性漏電流（ Ior）。