SRAM+E2PROM存儲卡。
RAM容量：512KB。
E2PROM容量：512KB。輸出點數(shù)：32點。
輸出電壓及電流：DC5～24V 0.2A/1點。
2A/1公共端。
OFF時漏電流：0.1mA。
應(yīng)答時間：1ms。
16點1個公共端。
漏型。
40針連接器。
帶熱防護(hù)。
帶短路保護(hù)。
帶浪涌吸收器Q24DHCCPU-V
超高速處理，生產(chǎn)時間縮短，更好的性能。
隨著應(yīng)用程序變得更大更復(fù)雜，縮短系統(tǒng)運行周期時間是非常必要的。
通過超高的基本運算處理速度1.9ns，可縮短運行周期。
除了可以實現(xiàn)以往與單片機(jī)控制相聯(lián)系的高速控制以外，
還可通過減少總掃描時間，提高系統(tǒng)性能，
防止任何可能出現(xiàn)的性能偏差。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時需要考慮各區(qū)域的邊界。
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地擴(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時，可縮短掃描時間。
借助采樣跟蹤功能縮短啟動時間
利用采樣跟蹤功能，方便分析發(fā)生故障時的數(shù)據(jù)，
檢驗程序調(diào)試的時間等，可縮短設(shè)備故障分析時間和啟動時間。
此外，在多CPU系統(tǒng)中也有助于確定CPU模塊之間的數(shù)據(jù)收發(fā)時間。
可用編程工具對收集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，
并以圖表和趨勢圖的形式方便地顯示位軟元件和字軟元件的數(shù)據(jù)變化。
并且,可將采樣跟蹤結(jié)果以GX LogViewer形式的CSV進(jìn)行保存，
通過記錄數(shù)據(jù)顯示、分析工具GX LogViewer進(jìn)行顯示?？刂戚S數(shù)：最多16軸。
伺服放大器連接方式：SSCNETⅢ/H（1系統(tǒng)）。
運動控控制器是指，與可編程控制器CPU組合使用的運動控制用CPU模塊。
使用運動SFC程序獨立對可編程控制制器CPU進(jìn)行控制。
可以與可編程控制器CPU分擔(dān)負(fù)荷進(jìn)行高精度的運動控制。
實現(xiàn)位置跟蹤、串聯(lián)運行等高精度的運動控制。
可以直接對輸入輸出模塊、模擬量模塊、高速計數(shù)器模塊等進(jìn)行管理，實現(xiàn)高速的輸入輸出。