輸入輸出點(diǎn)數(shù)：4096點(diǎn)。
輸入輸出軟元件點(diǎn)數(shù)：8192點(diǎn)。
程序容量：40K步。
基本運(yùn)處理速度（LD指令）：1.9ns。
程序內(nèi)存容量：160KB。
外圍設(shè)備連接端口：USB、以太網(wǎng)（通信協(xié)義支持功能）。
存儲(chǔ)卡I/F：SD存儲(chǔ)卡、擴(kuò)展SRAM卡。
方便處理大容量數(shù)據(jù)。
以往無法實(shí)現(xiàn)標(biāo)準(zhǔn)RAM和SRAM卡文件寄存器區(qū)域的連續(xù)存取，
在編程時(shí)需要考慮各區(qū)域的邊界Q1MEM-512S
在高速通用型QCPU中安裝了8MB SRAM擴(kuò)展卡，
可將標(biāo)準(zhǔn)RAM作為一個(gè)連續(xù)的文件寄存器，
容量最多可達(dá)4736K字，從而簡化了編程。
因此，即使軟元件存儲(chǔ)器空間不足，
也可通過安裝擴(kuò)展SRAM卡，方便地?cái)U(kuò)展文件寄存器區(qū)域。
變址寄存器擴(kuò)展到了32位，從而使編程也可超越了傳統(tǒng)的32K字，
并實(shí)現(xiàn)變址修飾擴(kuò)展到文件寄存器的所有區(qū)域。
另外，變址修飾的處理速度對結(jié)構(gòu)化數(shù)據(jù)（陣列）的高效運(yùn)算起著重要作用，
該速度現(xiàn)已得到提高。
當(dāng)變址修飾用于反復(fù)處理程序（例如從FOR到NEXT的指令等）中時(shí)，可縮短掃描時(shí)間。
支持USB和RS232。

支持安裝記憶卡。

多CPU之間提供高速通信。
縮短了固定掃描中斷時(shí)間，裝置高精度化。
固定周期中斷程序的最小間隔縮減至100μs。
可準(zhǔn)確獲取高速信號，為裝置的更加高精度化作出貢獻(xiàn)。
通過多CPU進(jìn)行高速、高精度機(jī)器控制。
通過順控程序的直線和多CPU間高速通信（周期為0.88ms）的并列處理，實(shí)現(xiàn)高速控制。
多CPU間高速通信周期與運(yùn)動(dòng)控制同步，因此可實(shí)現(xiàn)運(yùn)算效率最大化。
此外，最新的運(yùn)動(dòng)控制CPU在性能上是先前型號的2倍，
確保了高速、高精度的機(jī)器控制。安裝DIN導(dǎo)軌用的適配器。
用于Q35B-E、Q65B、Q00JCPU。連接讀寫2ch。
ID系統(tǒng)接口模塊。
ID控制器BIS M-688-001/002是可直接安裝到Q系列的基板上，
通過可編程控制器指令讀寫ID標(biāo)簽數(shù)據(jù)的控制模塊。
BIS M-688-002的梯形圖與QD35ID1/2兼容。
可連接2個(gè)天線，還可同時(shí)進(jìn)行2通道的并行處理。
可使用BIS M系列的所有ID標(biāo)簽。
巴魯夫ID系統(tǒng)/BIS系列是可利用電磁結(jié)合方式讀寫數(shù)據(jù)的工業(yè)自動(dòng)化ID系統(tǒng)。
ID標(biāo)簽具有多種尺寸和存儲(chǔ)容量。三相3線式。
測量電路數(shù)：1個(gè)電路。
測量項(xiàng)目：耗電量（消耗、再生）、電流、電壓、功率、功率因素等。
可簡單地測量多種能量信息的電能測量模塊產(chǎn)品群。
僅用一個(gè)模塊，即可測量與電量（消耗及再生）、無功電量、電流、電壓、功率、功率因數(shù)以及頻率有關(guān)的各種詳細(xì)信息。
無需梯形圖程序即可持續(xù)監(jiān)視最小值和最大值，亦可執(zhí)行2種類型的上限/下限報(bào)警。
只有在ON狀態(tài)期間，才可測量輸出設(shè)備所使用的電量。
因此可獲得設(shè)備運(yùn)行期間的電電量以及節(jié)拍單位內(nèi)的電量。
在一個(gè)插槽中使用3相3線式產(chǎn)品最多可測量4個(gè)電路，
使用3相4線式產(chǎn)品最最多可測量3個(gè)電路，
因此通過多電路型產(chǎn)品可在較小空間中實(shí)施電能測量。
例如，可使用一個(gè)模塊測量來自控制面板干線的其他負(fù)載。
此外，可使用GX Works2 （ 1.90U版和更高版本），輕松地設(shè)置參數(shù)。